中國(guó)基金報(bào) 泰勒
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美光公司在華銷售的產(chǎn)品未通過網(wǎng)絡(luò)安全審查
據(jù)網(wǎng)信辦消息，日前，網(wǎng)絡(luò)安全審查辦公室依法對(duì)美光公司在華銷售產(chǎn)品進(jìn)行了網(wǎng)絡(luò)安全審查。
審查發(fā)現(xiàn)，美光公司產(chǎn)品存在較嚴(yán)重網(wǎng)絡(luò)安全問題隱患，對(duì)我國(guó)關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施供應(yīng)鏈造成重大安全風(fēng)險(xiǎn)，影響我國(guó)國(guó)家安全。為此，網(wǎng)絡(luò)安全審查辦公室依法作出不予通過網(wǎng)絡(luò)安全審查的結(jié)論。按照《網(wǎng)絡(luò)安全法》等法律法規(guī)，我國(guó)內(nèi)關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施的運(yùn)營(yíng)者應(yīng)停止采購(gòu)美光公司產(chǎn)品。
此次對(duì)美光公司產(chǎn)品進(jìn)行網(wǎng)絡(luò)安全審查，目的是防范產(chǎn)品網(wǎng)絡(luò)安全問題危害國(guó)家關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施安全，是維護(hù)國(guó)家安全的必要措施。中國(guó)堅(jiān)定推進(jìn)高水平對(duì)外開放，只要遵守中國(guó)法律法規(guī)要求，歡迎各國(guó)企業(yè)、各類平臺(tái)產(chǎn)品服務(wù)進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)。
3月31日，中國(guó)網(wǎng)信網(wǎng)發(fā)文稱，為保障關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施供應(yīng)鏈安全，防范產(chǎn)品問題隱患造成網(wǎng)絡(luò)安全風(fēng)險(xiǎn)，維護(hù)國(guó)家安全，依據(jù)《中華人民共和國(guó)國(guó)家安全法》《中華人民共和國(guó)網(wǎng)絡(luò)安全法》，網(wǎng)絡(luò)安全審查辦公室按照《網(wǎng)絡(luò)安全審查辦法》，對(duì)美光公司（Micron）在華銷售的產(chǎn)品實(shí)施網(wǎng)絡(luò)安全審查。
美光是美國(guó)的存儲(chǔ)芯片行業(yè)龍頭，也是全球存儲(chǔ)芯片巨頭之一，2022年收入來自中國(guó)市場(chǎng)收入從此前高峰57%降至2022年約11%。根據(jù)市場(chǎng)咨詢機(jī)構(gòu) Omdia（IHS Markit）統(tǒng)計(jì)，2021 年三星電子、 鎧俠、西部數(shù)據(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （閃存）市場(chǎng)份額約為 96.76%，三星電子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （內(nèi)存）市場(chǎng)份額約為 94.35%。
A股上市公司中，江波龍、佰維存儲(chǔ)等公司披露過美光等國(guó)際存儲(chǔ)廠商為公司供應(yīng)商。
美光在江波龍采購(gòu)占比已經(jīng)顯著下降，至少已經(jīng)不是主要大供應(yīng)商。
公告顯示， 2021年美光位列江波龍第一大存儲(chǔ)晶圓供應(yīng)商，采購(gòu)約31億元，占比33.52%；2022年，江波龍第一大、第二大和第三大供應(yīng)商采購(gòu)金額占比分別是26.28%、22.85%和5.76%。
目前江波龍已經(jīng)在存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈上下游建立國(guó)內(nèi)外廣泛合作。2022年年報(bào)顯示，江波龍與三星、美光、西部數(shù)據(jù)等主要存儲(chǔ)晶圓原廠簽署了長(zhǎng)期合約，確保存儲(chǔ)晶圓供應(yīng)的穩(wěn)定性，鞏固公司在下游市場(chǎng)的供應(yīng)優(yōu)勢(shì)，公司也與國(guó)內(nèi)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)晶圓原廠武漢長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫保持良好的合作。
有券商此前就分析，如果美光在中國(guó)區(qū)銷售受到限制，或?qū)?dǎo)致下游客戶轉(zhuǎn)而采購(gòu)國(guó)外三星、 SK海力士，國(guó)內(nèi)長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)等競(jìng)對(duì)產(chǎn)品
分析稱，長(zhǎng)存、長(zhǎng)鑫的上游設(shè)備廠或從中受益。存儲(chǔ)器的生產(chǎn)已經(jīng)演進(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工藝。另外NAND Flash現(xiàn)在已經(jīng)進(jìn)入3D NAND時(shí)代，2 維到3維的結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變使刻蝕和薄膜成為最關(guān)鍵、最大量的加工設(shè)備。3D NAND每層均需要經(jīng)過薄膜沉積工藝步驟，同時(shí)刻蝕目前前沿要刻到 60：1的深孔，未來可能會(huì)更深的孔或者溝槽，催生更多設(shè)備需求。據(jù)東京電子披露，薄膜沉積設(shè)備及刻蝕占3D NAND產(chǎn)線資本開支合計(jì)為75%。自長(zhǎng)江存儲(chǔ)被加入美國(guó)限制名單，設(shè)備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加速，看好拓荊科技（薄膜沉積）等相關(guān)公司份額提升，以及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)占比較高的華海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增長(zhǎng)。